CSP封裝具有以下特點(diǎn)：解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10；延遲時(shí)間縮到極短；CSP封裝的內(nèi)存顆粒不僅可以通過PCB板散熱，還可以從背面散熱，且散熱效率良好。封裝測(cè)試行業(yè)主要有四家上市公司，具體參照按2016年?duì)I收排名。20世紀(jì)80年代初發(fā)源于美國，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題，把多個(gè)高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)多芯片模塊系統(tǒng)。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。

WLCSP生產(chǎn)周期和成本大幅下降，芯片所需引腳數(shù)減少，提高了集成度；引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除，采用此封裝的內(nèi)存可以支持到800MHz的頻率，容量可達(dá)1GB，所以它號(hào)稱是未來封裝的主流。BGA一出現(xiàn)便成為CPU、主板上南/北橋芯片等高密度、、多引腳封裝的選擇。它的不足之處是芯片得不到足夠的保護(hù)。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級(jí)封裝以用來區(qū)別以前的封裝。多芯片模塊具有以下特點(diǎn)：封裝密度更高，電性能更好，與等效的單芯片封裝相比體積更小。如果采用傳統(tǒng)的單個(gè)芯片封裝的形式分別焊接在印刷電路板上，則芯片之間布線引起的信號(hào)傳輸延遲就顯得非常嚴(yán)重，尤其是在高頻電路中，而此封裝優(yōu)點(diǎn)就是縮短芯片之間的布線長度，從而達(dá)到縮短延遲時(shí)間、易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化的目的。

所謂封裝測(cè)試其實(shí)就是封裝后測(cè)試,把已制造完成的半導(dǎo)體元件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能的確認(rèn)，以保證半導(dǎo)體元件符合系統(tǒng)的需求的過程稱為封裝后測(cè)試。扇入和扇出型封裝流程這里需要說明的是，為提高晶圓級(jí)封裝的可靠性，目前存在多種焊球裝配工藝，其中包括氮化物層上焊球、聚合物層上焊球、銅柱晶圓級(jí)封裝等等。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢(shì)：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對(duì)晶圓進(jìn)行切割、分類；所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，設(shè)備測(cè)試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。Dual此封裝形式的特點(diǎn)是引腳全部在兩邊，而且引腳的數(shù)量不算多。它的封裝形式比較多，又可細(xì)分為SOT、SOP、SOJ、SSOP、HSOP及其他。