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用正交試驗(yàn)法,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察;利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
時(shí)間對(duì)微弧氧化封孔膜層增厚的影響
在其他工藝參數(shù)相同的情況下,不同封閉時(shí)間對(duì)陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時(shí)間較短時(shí),膜層增厚較少;隨著時(shí)間的延長(zhǎng),膜層逐漸增厚;但是封閉時(shí)間過長(zhǎng),如封閉時(shí)間超過60min后,膜層增厚并不顯著,而且有下降的趨勢(shì)。
日照微弧技術(shù)有限公司秉承“真誠服務(wù)、信譽(yù)為先”的經(jīng)營理念,非常注重產(chǎn)品質(zhì)量,贏得了廣大客戶的一致好評(píng),竭誠歡迎新老客戶前來洽談、惠顧!
微弧氧化如何動(dòng)電位極化曲線檢測(cè)?
采用電化學(xué)工作站的三電極體系進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試前為了保證良好的導(dǎo)電性需將試樣一面的陶瓷膜層打磨掉,然后浸泡于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的NaCl水溶液中進(jìn)行測(cè)試。動(dòng)電位范圍設(shè)置為-0.2V~ 0.4V(相對(duì)于開路電位),掃描速度為1mV/s。采用EchemAnalyst 軟件對(duì)極化曲線進(jìn)行Tafel 擬合得到電化學(xué)參數(shù)。