脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。系統(tǒng)使用程序化的成像鏈(OpticalTrain)，包括聚焦透鏡、反射鏡臺(tái)、動(dòng)力反射鏡支撐架和智能視窗等，無(wú)需頻繁地校準(zhǔn)光學(xué)組件。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積的應(yīng)用領(lǐng)域

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脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域：

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導(dǎo)體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質(zhì)薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導(dǎo)薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導(dǎo)，光學(xué)薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測(cè)薄膜（V2O5，PZT）

脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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