氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長(zhǎng)完1美、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個(gè)冶煉過程非常耗時(shí)耗能，將長(zhǎng)達(dá)幾十個(gè)小時(shí)。在這個(gè)過程中如何調(diào)整控制電流和電壓，使冶煉過程能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行，電控系統(tǒng)承擔(dān)了zui艱巨的任務(wù)。

氧化鎂(MgO)單晶在許多高技術(shù)領(lǐng)域的研究和生產(chǎn)中有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，其中，大尺寸氧化鎂單晶體以及以此為基礎(chǔ)做成的高溫超導(dǎo)基片及雙面膜為參與國(guó)際高科技竟?fàn)幍年P(guān)鍵產(chǎn)品。氧化鎂（MgO）是鎂的氧化物，一種離子化合物。常溫下為一種白色固體。氧化鎂以方鎂石形式存在于自然界中，是冶鎂的原料。氧化鎂有高度耐火絕緣性能，經(jīng)1000℃以上高溫灼燒可轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。

氧化鎂(MgO)單晶基片是高頻微波器件高溫超導(dǎo)薄膜zui常選用的主要襯底材料之一， 也是當(dāng)前可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重要的高溫超導(dǎo)薄膜基片。目前生產(chǎn)氧化鎂(MgO)晶體的主流技術(shù)是電弧爐熔融法。主要通過高溫電弧作熱源在原料中心形成熔體，在加熱過程停止后熔體經(jīng)自然冷卻得到晶體。具有巖鹽晶體結(jié)構(gòu)的氧化鎂(MgO)是一種寬禁帶氧化物絕緣體，帶隙Eg為7.8 eV。優(yōu)良的絕緣性、熱傳導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)使得MgO具有十分廣泛的應(yīng)用。

氧化鎂單晶是以高純氧化鎂為原料，在生產(chǎn)高純電熔鎂砂過程產(chǎn)出的高純氧化鎂單晶體，MgO含量在99.90%以上，體積密度大于3.5g/cm3，其應(yīng)用領(lǐng)域包括：①高溫超導(dǎo)器件生長(zhǎng)基片（超導(dǎo)量子器件、CT、通訊）；②高溫高的精度光學(xué)材料（航空、航天、激光制導(dǎo)）；③等離子顯示器薄膜（平板顯示器PDP、手機(jī)和電視機(jī)屏）；④高溫坩堝材料（中子檢測(cè)、冶金行業(yè)）；⑤高溫絕緣材料、光學(xué)陶瓷；⑥半導(dǎo)體材料（底襯、傳感器）等。