光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性膠。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

光刻膠

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負(fù)膠的設(shè)計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當(dāng)顯影后NR9-3000PY顯示出負(fù)的側(cè)壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

NR9-3000PY

四、對準(zhǔn)（Alignment）

光刻對準(zhǔn)技術(shù)是曝光前的一個重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對準(zhǔn)精度為細(xì)線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準(zhǔn)精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準(zhǔn)精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準(zhǔn)技術(shù)也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。從對準(zhǔn)原理上及標(biāo)記結(jié) 構(gòu)分類 ，對準(zhǔn)技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對準(zhǔn)方式 ，包括視頻圖像對準(zhǔn)、雙目顯微鏡對準(zhǔn)等，一直到后來的波帶片對準(zhǔn)方式 、干涉強(qiáng)度對準(zhǔn) 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準(zhǔn)方式 。從對準(zhǔn)信號上分 ，主要包括標(biāo)記的顯微圖像對準(zhǔn) 、基于光強(qiáng)信息的對準(zhǔn)和基于相位信息對準(zhǔn)。只有在應(yīng)用過程中才能發(fā)現(xiàn)問題，解決問題，不斷提升技術(shù)、工藝與產(chǎn)品水平，實(shí)現(xiàn)我國關(guān)鍵電子化學(xué)品材料的國產(chǎn)化，完善我國集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿足國家和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的需求。

NR77-20000PNR26 25000P光刻膠公司

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗(yàn),光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。隨著光刻分辨力的提高，對準(zhǔn)精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準(zhǔn)精度要求在5am左右。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分進(jìn)行腐蝕掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。