光掩膜是刻有微電路的版，由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成，蝕刻后的殘留鉻部分即為設(shè)計(jì)的微電圖。這種制版方式在掩膜行業(yè)稱為光透。

半導(dǎo)體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻襲工藝，在半導(dǎo)體晶體表面的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套（幾塊zhidao多至十幾塊）相互間能套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光復(fù)印掩蔽模版。

公司產(chǎn)品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶的構(gòu)想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質(zhì)量掩膜版以及后期的代加工服務(wù)！

使用無掩模光刻機(jī)讀取版圖文件，對帶膠的空白掩膜版進(jìn)行非接觸式曝光（曝光波長405nm），照射掩膜版上所需圖形區(qū)域，使該區(qū)域的光刻膠（通常為正膠）發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)

經(jīng)過顯影、定影后，曝光區(qū)域的光刻膠溶解脫落，暴露出下面的鉻層

刻蝕或離子注入完成后，將進(jìn)行光刻的后一步，即將光刻膠去除，以方便進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通常，半導(dǎo)體器件制造整個過程中，會進(jìn)行很多次光刻流程。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過程中可能需要進(jìn)行多達(dá)50步光刻，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。在刻畫時，采用步進(jìn)機(jī)刻畫(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在涂有鉻層的4-9“玻璃板上刻畫，邊緣起點(diǎn)5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線寬與間距更小。

掩膜（MASK）就是指單片機(jī)設(shè)計(jì)掩膜就是指程序流程統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)早已制成光刻版，在單片機(jī)設(shè)計(jì)生產(chǎn)制造的全過程中把程序流程做進(jìn)來。優(yōu)勢是：程序流程靠譜、低成本。缺陷：大批量規(guī)定大，每一次改動程序流程就必須再次做光呆板，不一樣程序流程不可以一起生產(chǎn)制造，交貨期長。③烤版溫度不能過高，溫度過高也會導(dǎo)致鋁版基韌化和發(fā)軟，樹脂層焦化，影響耐印力。 

選定的圖像、圖形或?qū)ο笥糜谧钃跻烟幚淼膱D像(全部或部分)，以控制圖像處理區(qū)域或過程。用于覆蓋的特定圖像或?qū)ο蠓Q為遮罩或模板。在光學(xué)圖像處理中，掩?？梢允潜∧?、濾光器等。在數(shù)字圖像處理中，掩模是二維矩陣陣列，有時也使用多值圖像。