公司產(chǎn)品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶的構(gòu)想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質(zhì)量掩膜版以及后期的代加工服務(wù)！

在刻畫時(shí)，采用步進(jìn)機(jī)刻畫(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在涂有鉻層的4-9“ 玻璃板上刻畫，邊緣起點(diǎn)5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線寬與間距更小。此后用特定溶劑洗去被照射或者未被照射的膠，電路圖就印到硅片上。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有稱為中間掩膜，reticle作為單位譯為光柵)，用步進(jìn)機(jī)重復(fù)將比例縮小到master maks上，應(yīng)用到實(shí)際曝光中的為工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask復(fù)i制過來。

光掩膜一般也稱光罩，是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形，并通過曝光將圖形轉(zhuǎn)印到產(chǎn)品基板上。光掩膜主要由兩部分組成：基板和不透光材料。

作為半導(dǎo)體、液晶顯示器制造過程中轉(zhuǎn)移電路圖形“底片”的高精密工具，光掩膜是半導(dǎo)體制程中非常關(guān)鍵的一環(huán)。

在容柵電子光學(xué)微影技術(shù)性中，光罩表層的擋光圖樣會與基鋼板上的光阻層觸碰磨擦，非常容易促使擋光圖樣損耗促使光罩使用期減少。通過光刻制版工藝，將微米級和納米級的精細(xì)圖案刻制于掩膜版基板上從而制作成掩膜版。另一個(gè)，當(dāng)施膠光亮阻層的基鋼板表層并不是十分整平時(shí)，光罩與光阻層會造成不確定性的間隙與間距，而導(dǎo)致光源的光學(xué)散射與繞射，從而導(dǎo)致曝i光的規(guī)格偏差，而且導(dǎo)致光阻層淺部一部分的側(cè)面曝i光范疇擴(kuò)張，因此沒法制做出深奧長寬比的光阻構(gòu)造。

石英巖的原巖可以是：單礦物石英砂巖，含泥質(zhì)、鈣質(zhì)石英砂巖，膠體沉積的硅質(zhì)巖（包括陸源碎屑溶解再沉積的硅質(zhì)巖和與火山噴氣有關(guān)的硅質(zhì)巖）和深海蟲硅質(zhì)巖等。不同原巖形成的石英巖，可根據(jù)結(jié)構(gòu)、變晶程度、副產(chǎn)物、巖石共生組合及產(chǎn)狀等加以區(qū)分。