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電池片的檢驗
電池片的檢驗
一十三、印刷圖型
主柵線:
A級:主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯,斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%,歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm,不容許有掉色狀況(燒糊、變黃)
新的規(guī)范:主柵大小勻稱,不容許有斷開,缺少、歪曲及其突顯。
B級:斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%,歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm,不容許有掉色狀況(燒糊、變黃)
新的規(guī)范:主柵大小勻稱,容許有斷開,缺少總面積不超出主柵線總面積的5%,歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm,不容許有掉色狀況(燒糊、變黃)
C級:斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%,歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm,不容許有掉色狀況
新的規(guī)范:主柵線:斷開,缺少總面積不超出主柵線總面積的20%,歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm,
副柵線:
A級:副柵線容許大小不勻稱,存有總寬超過0.13mm,低于18mm的副柵線,段柵線≤6條,斷開間距≤2mm,容許有輕度虛印、缺印,總面積低于電級占地面積的5%.
新的規(guī)范:副柵線清楚,容許有兩根柵線存有斷開,斷掉總數(shù)≤3條,斷掉間距≤0.5mm;不容許有一切虛印、粗點;不容許有掉色狀況。
B級:容許大小不勻稱,存有總寬≤0.25mm的副柵線,段柵線≤10條,斷開間距≤2mm,容許有輕度虛印、缺印,總面積低于電級占地面積的10%.
電池片區(qū)別
振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗板,負債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。
電池片差別
太陽電池開始面世的是單晶硅太陽電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素,基本上滿地常有硅的存有,百口莫辯取之不竭,用硅來生產(chǎn)制造太陽電池,原材料可以說不缺??墒翘釤挸鏊鼌s不易,因此大家在生產(chǎn)制造單晶硅太陽電池的一起,又科學研究了多晶硅太陽電池和非晶硅太陽電池,迄今商業(yè)服務經(jīng)營規(guī)模生產(chǎn)制造的太陽電池,都還沒跳出來硅的系列產(chǎn)品。我覺得能夠生產(chǎn)制造太陽電池的半導體器件許多,隨之原材料工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展趨勢、太陽電池的種類將很多?,F(xiàn)階段已開展科學研究和研發(fā)的太陽電池,除硅系列產(chǎn)品外,也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類的太陽電池,不勝枚舉,下列詳細介紹幾類較普遍的太陽電池。歸類單晶硅太陽電池。
電池片流程
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電池片流程
擴散制結: 太陽能電池需要一個大面積的 PN 結以實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化, 而擴散爐就是制造太陽能電池P-N 結的專用設備。擴散用三氯氧磷為擴散源。在 830 度的高溫下用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器,通過三氯氧磷和硅片進行反應,得到磷離子,通過硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴散,形成 P-N 結。
需注意 :
石英舟一舟可放置 500 片, 擴散面需跟制絨面在同一面上,擴散為單面擴散,工藝流程為 83 分鐘。
濕法刻蝕: 利用 HNO3 和 HF 的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕 , 去除邊緣的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互絕緣。
需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ,目前采用濕法,刻蝕后需做親水性測試。
如何判斷親水性是否良好?
用純水滴在硅片上看硅片上的擴散面積。機械臂流片需要返工因臭氧層丟失。
PEVCD: 鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .
需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,流程為 50 分鐘, 在此階段會發(fā)生色斑,色差等問題。
絲網(wǎng)印刷 : 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進行印刷 , 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成 , 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面,漿料在刮刀的擠壓下穿過絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔 , 只有圖像部分能穿過,印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場——正電極。
需注意 : 斷柵 問題會出現(xiàn)在此工藝段。也是電池片的后一大工藝段。