電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個(gè)量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計(jì)和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計(jì)制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺積電這樣的專業(yè)代工廠；而分立器件一顆die就是獨(dú)立的一個(gè)發(fā)光源再加上正負(fù)電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨(dú)立的LED IC設(shè)計(jì)公司。

2，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動(dòng)速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個(gè)數(shù)量級（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴(yán)重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。

“透明電極”芯片的結(jié)構(gòu)與它的特點(diǎn)是什么?

所謂透明電極一是要能夠?qū)щ?，二是要能夠透光?

這種材料現(xiàn)在較為廣泛應(yīng)用在液晶生產(chǎn)工藝中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊使用。

制作時(shí)先要在芯片表面做好歐姆電極，然后在表面覆蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊。

這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個(gè)歐姆接觸電極上，同時(shí)ITO由于折射率處于空氣與外延材料折射率之間，可提高出光角度，光通量也可增加。

LED芯片的分類——MB芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

MB芯片定義與特點(diǎn)

定義：metal Bonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專i利產(chǎn)品。

特點(diǎn)：

(1)采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底，散熱容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。

(2)通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。

(3)導(dǎo)電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。

(4)底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。

(5)尺寸可加大，應(yīng)用于High power領(lǐng)域，eg:42mil MB。