晶圓級封裝方案是直接將裸片直接焊接在主板上，晶圓級封裝主要分為扇入型封裝和扇出型封裝兩種。扇入型封裝是在晶圓片未切割前完成封裝工序，即先封裝后切割。因此，裸片封裝后與裸片本身的尺寸相同。扇出型封裝是先在人造模壓晶圓片上重構(gòu)每顆裸片，“新”晶圓片是加工RDL布線層的基板，然后按照普通扇入型晶圓級封裝后工序，完成后的封裝流程。常規(guī)PPTC在某些熱帶帶高溫高濕的環(huán)境中，出現(xiàn)失效的情況，究其原因是常規(guī)PPTC受高溫高濕環(huán)境水汽影響導(dǎo)致升阻失效，新型的封裝大大提高了PPTC在高溫高濕環(huán)境中的使用壽命，拓展了PPTC的應(yīng)用場景。

半導(dǎo)體的焦點通常集中在工藝節(jié)點本身，而封裝則成為現(xiàn)代半導(dǎo)體中一個往往受到忽視的推動因素。終，硅芯片僅僅是需要電源和數(shù)據(jù)互連的更龐大系統(tǒng)的一部分。從這個角度來看，封裝提供了處理器和主板之間的物理接口，主板則充當(dāng)芯片電信號和電源的著陸區(qū)。封裝使更小的封裝成為可能，從而能夠容納更大的電池，通過使用硅中介層集成高帶寬內(nèi)存 (HBM)，實現(xiàn)了類似的電路板尺寸縮減。隨著行業(yè)傾向于使用小芯片構(gòu)建模塊的異構(gòu)設(shè)計范例，平臺級互連變得非常重要。微通孔分離隨著電子器件中的間距越來越小，微通孔技術(shù)在PCB中的應(yīng)用呈式增長。

封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。Single-ended中COF是將芯片直接粘貼在柔性線路板上(現(xiàn)有的用Flip-Chip技術(shù))，再經(jīng)過塑料包封而成，它的特點是輕而且很薄，所以當(dāng)前被廣泛用在液晶顯示器(LCD)上，以滿足LCD分辨率增加的需要。封裝引腳之間距離很小、管腳很細(xì)，一般大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路采用這種封裝形式。其引腳數(shù)一般從幾十到幾百，而且其封裝外形尺寸較小、寄生參數(shù)減小、適合高頻應(yīng)用。該封裝主要適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線。徠森較為關(guān)心的是這種新封裝技術(shù)的特異性，以及常見的熱機械失效等相關(guān)問題，并提出相應(yīng)的控制方案和改進(jìn)方法。

在TSOP封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過芯片引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱相對困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后，會有很大的信號干擾和電磁干擾。WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級封裝以用來區(qū)別以前的封裝。其技術(shù)可分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝，氣派科技，采用的是傳統(tǒng)封裝技術(shù)。