縮微技術(shù)

數(shù)字技術(shù)高度發(fā)展的時(shí)代，縮微技術(shù)與數(shù)字技術(shù)緊密地結(jié)合起來(lái)—數(shù)模影像整合系統(tǒng)，充分發(fā)揮縮微技術(shù)長(zhǎng)于“存”、數(shù)字技術(shù)長(zhǎng)于“用”的特點(diǎn)。也就是說(shuō)，也就是說(shuō)通過(guò)利用柯達(dá)數(shù)字存檔機(jī)及相應(yīng)的軟件系統(tǒng)，將數(shù)字技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，即數(shù)字傳輸?shù)目焖傩?、邏輯性和便利性，同縮微技術(shù)的安全可靠性、長(zhǎng)久性、真實(shí)性和經(jīng)濟(jì)性以及法律效力性結(jié)合在一起，共同納入信息資料現(xiàn)代化管理的技術(shù)軌道。

不同類別存儲(chǔ)器的基本原理

存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。

易失性存儲(chǔ)器分SRAM和DRAM；非易失性存儲(chǔ)器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。DRAMDRAM cell結(jié)構(gòu)由1個(gè)MOS和1個(gè)電容組成，由電容是否帶電荷來(lái)區(qū)分0和1。不過(guò)，由于電容漏電流的原因，DRAM無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，需要“動(dòng)態(tài)”刷新（刷新周期在亞ms級(jí)別）。

NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

通過(guò)NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖，可見(jiàn)每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個(gè)Page時(shí)，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個(gè)Page的Word Line施加電壓，而對(duì)其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變Floating Gate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲(chǔ)單元的D和S導(dǎo)通，而我們要讀取的Page的基本存儲(chǔ)單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時(shí)，Bit Line讀出‘0’，無(wú)電荷Bit Line讀出‘1’，實(shí)現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見(jiàn)NAND無(wú)法實(shí)現(xiàn)位讀取（即Random Access），程序代碼也就無(wú)法在NAND上運(yùn)行。

DRAM市場(chǎng)發(fā)展史

DRAM領(lǐng)域經(jīng)過(guò)幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機(jī)之前的五家，分別是：三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢(mèng)達(dá)(德)、鎂光(美)和爾必達(dá)(日)，五家公司基本控制了DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒(méi)有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購(gòu)原材料。按照常理來(lái)說(shuō)，格局已經(jīng)趨穩(wěn)，價(jià)格戰(zhàn)理應(yīng)偃旗息鼓，可惜的是，韓國(guó)人并不答應(yīng)，尤其是三星。