ICP刻蝕機(jī)簡介

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)化學(xué)氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

一．系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。具體描述如下：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)上開蓋結(jié)構(gòu)；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內(nèi)腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達(dá)到（采用分子泵抽氣)；

停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機(jī)進(jìn)行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺(tái)頻率 13.56MHz，功率600W，全自動(dòng)匹配；

11. 6路氣體，共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優(yōu)于±5%（Φ4英寸范圍內(nèi)）

優(yōu)于±6%（Φ6英寸范圍內(nèi)）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

化學(xué)氣相沉積的原理

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

（1）形成揮發(fā)性物質(zhì) ；

（2）把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ；

（3）在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) 。基本的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。如需了解更多化學(xué)氣相沉積的相關(guān)信息，歡迎關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點(diǎn)電話，我司會(huì)為您提供專業(yè)、周到的服務(wù)。

Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來將很有潛力。等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材，甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。

化學(xué)氣相沉積過程介紹

化學(xué)氣相沉積過程分為三個(gè)重要階段：反應(yīng)氣體向基體表面擴(kuò)散、反應(yīng)氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。常見的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)有:熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)和化學(xué)傳輸反應(yīng)等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應(yīng)室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經(jīng)化學(xué)反應(yīng)，在基體表面形成覆層。激光干涉：激光干涉終點(diǎn)法（IEP）是用激光光源檢測(cè)透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時(shí)，則意味著到達(dá)了刻蝕終點(diǎn)。

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