1溫度對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10-90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20-60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過(guò)程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。

2.時(shí)間對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化時(shí)間一般控制在10~60min。氧化時(shí)間越長(zhǎng)，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

3.陰極材料

陰極材料可選用不銹鋼，碳鋼，鎳等，可將上述材料懸掛使用或做成陰極槽體。

4.后處理對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化過(guò)后，工件可不經(jīng)過(guò)任何處理直接使用，也可進(jìn)行封閉，電泳，拋光等后續(xù)處理。折疊

微弧氧化工藝流程

1、預(yù)處理

預(yù)處理的原因是由于鋁、鐵等合金長(zhǎng)時(shí)間放置在空氣中，表面易發(fā)生氧化，生成一層幾個(gè)微米的鈍化膜，同時(shí)，其表面又極易吸附周圍環(huán)境中的雜質(zhì)，形成表面吸附層。為保證微弧氧化后制得陶瓷膜的綜合力學(xué)性能，在微弧氧化處理前要對(duì)試樣表面進(jìn)行預(yù)處理。

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微弧氧化的步驟

一、陽(yáng)極氧化階段

將樣品置于一定的電解液中，通電后，樣品外表和陰極外表呈現(xiàn)無(wú)數(shù)細(xì)小的平均的白色氣泡，而且隨電壓升高，氣泡逐步變大變密，生成速率也不時(shí)加快。在到達(dá)擊穿電壓之前，這種現(xiàn)象不斷存在，這一階段就是陽(yáng)極氧化階段。

二、火花放電階段

當(dāng)施加到樣品的電壓到達(dá)擊穿電壓時(shí)，樣品外表開(kāi)端呈現(xiàn)無(wú)數(shù)細(xì)小、亮度較低的火花點(diǎn)。這些火花點(diǎn)密度不高，無(wú)爆鳴聲。在該階段，樣品外表開(kāi)端構(gòu)成陶瓷層，但陶瓷層的生長(zhǎng)速率很小，硬度和致密度較低，所以應(yīng)盡量減少這一階段的時(shí)間。