化學(xué)氣相沉積法簡介

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化學(xué)氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響，生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進程。

化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機資料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控?，F(xiàn)在，化學(xué)氣相淀積已成為無機合成化學(xué)的一個新領(lǐng)域。ICP頭尺寸：340mmmm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm。

化學(xué)氣相沉積的特點有哪些？

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準確控制

?  標準氣壓計

?  易于操作

?  可配機械泵實現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗，專注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?！

PCVD工藝的具體流程

PCVD工藝的具體流程如下：

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預(yù)制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試，以確定光纖的幾何、光學(xué)和機械性能。

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