天津滋源環(huán)?？萍加邢薰臼翘旖蚴袨I海高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)注冊(cè)的科技型企業(yè)。擁有一批從事污水處理行業(yè)多年的科技人才，獲得多項(xiàng)污水處理應(yīng)用領(lǐng)域的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

純凈水設(shè)備的反滲透系統(tǒng)主要是去除水中雜質(zhì)，使出水水質(zhì)達(dá)到用戶(hù)需求。反滲透系統(tǒng)主要包括多級(jí)高壓泵、反滲透膜元件、膜殼(壓力容器)、支架等組成。

當(dāng)反滲透系統(tǒng)受到污染出水指標(biāo)不能滿(mǎn)足要求時(shí)，就需要依靠純凈水設(shè)備的清洗系統(tǒng)對(duì)反滲透系統(tǒng)進(jìn)行清洗使之恢復(fù)功效。清洗系統(tǒng)主要有清洗水箱、清洗水泵、精密過(guò)濾器組成。

顆粒及膠體污染

反滲透膜的顆粒及膠體污染中的顆粒及膠體來(lái)源主要可以分為如下的幾個(gè)方面：，膜系統(tǒng)進(jìn)水的細(xì)菌、黏土、大分子團(tuán)有機(jī)物質(zhì)及膠體硅。第二，不具有溶解性金屬鐵的腐蝕化產(chǎn)物。第三，預(yù)處置水過(guò)程中使用的諸如鋁鹽一類(lèi)的混凝劑在過(guò)濾處置中部分物質(zhì)沒(méi)有得到及時(shí)有效的處置。第四，中水處置中添加到帶有正電荷的凝聚劑和帶有負(fù)電荷的阻垢劑產(chǎn)生的沉淀顆粒。

正常情況下，中水的預(yù)處置環(huán)節(jié)中，就可以有效的將水中的顆粒及膠體含量控制在一定水平之下，反滲透膜的平安正常運(yùn)行過(guò)程中，這一類(lèi)型的污染對(duì)于反滲透膜的影響較低，但是長(zhǎng)時(shí)間的使用過(guò)程中，因?yàn)榉礇_洗工作不等原因都會(huì)帶來(lái)相應(yīng)的顆粒及膠體污染問(wèn)題，這一問(wèn)題雖然短期內(nèi)不會(huì)對(duì)反滲透膜造成巨大影響，但是長(zhǎng)時(shí)間的使用之后，會(huì)直接影響到反滲透膜內(nèi)部元件的運(yùn)行性能。上海GMP純化水設(shè)備

反滲透膜清洗的保證措施

為了確保反滲透膜的化學(xué)清洗工作取得良好的效果需要采取如下的幾方面的保證措施：，日常維護(hù)工作的有效開(kāi)展。反滲透膜的日常運(yùn)行過(guò)程中，需要提升預(yù)處理環(huán)節(jié)的管理工作力度，同時(shí)，需要嚴(yán)格控制好反滲透膜系統(tǒng)進(jìn)水的水質(zhì)規(guī)范。發(fā)現(xiàn)反滲透膜出現(xiàn)嚴(yán)重的污染問(wèn)題的情況下，需要在時(shí)間內(nèi)將污染原因做出分析的基礎(chǔ)上，采取相應(yīng)的措施將問(wèn)題解決。除此之外，制定相應(yīng)的化學(xué)清洗方案的過(guò)程中，需要以污染物性質(zhì)及特點(diǎn)作為基礎(chǔ)。

第二，非氧化性殺菌劑投放設(shè)施的添置。反滲透膜污染的主要問(wèn)題之一就是微生物污染，而目前為有效的微生物污染防治方式就是非氧化性殺菌劑的投放，為此，開(kāi)展中水處理工作的過(guò)程中，需要添置合適數(shù)量的非氧化性殺菌劑投放設(shè)施，以便降低微生物的數(shù)量。

電堆積過(guò)程中，電極一般經(jīng)過(guò)3個(gè)反應(yīng)階段，分別為電極反應(yīng)控制階段、擴(kuò)散控制階段和副反應(yīng)階段。反應(yīng)剛開(kāi)始時(shí)，隨著電壓升高，重金屬離子的運(yùn)動(dòng)速率加快，堆積速率增大。隨著反應(yīng)進(jìn)一步發(fā)生，電極板處發(fā)生濃差極化現(xiàn)象，電極附近金屬離子濃度小于溶液本體的離子濃度，導(dǎo)致重金屬離子擴(kuò)散速率變慢。當(dāng)電壓進(jìn)一步升高，陽(yáng)極開(kāi)始析出大量H 抵消濃差極化作用的情況下，依舊會(huì)增加陰極氫氣生成，使溶液pH升高，金屬離子會(huì)以氫氧化物沉淀形式析出，從而降低回收的效率，而且較高的電壓也增加了能耗[55]所以,選擇電堆積電壓時(shí)，除了考慮電沉積效率， 上海純水設(shè)備還需同時(shí)考慮重金屬和氫析出的相對(duì)電位及能耗情況。

需要注意的對(duì)于含多種重金屬離子的廢水，適當(dāng)?shù)墓ぷ麟娢皇翘嶂亟饘倩厥者x擇性，提高金屬純度的關(guān)鍵。目標(biāo)重金屬與其他雜質(zhì)金屬的析出電勢(shì)必須相差足夠的數(shù)值，一般至少要差0.2V以上，否則會(huì)有雜質(zhì)金屬析出[56]Bhatluri等研究發(fā)現(xiàn)，鉛在陰極沉積的電壓是2.5V堆積率為88%繼續(xù)升高電壓時(shí)，鉛的堆積率沒(méi)有進(jìn)一步增加，反而增加了系統(tǒng)的能耗。