PR1 2000A1光刻膠報(bào)價(jià)專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)在線(xiàn)服務(wù)【賽米萊德】

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發(fā)布時(shí)間：2021-01-01 12:01

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂覀儾拍茉谖⑿〉男酒蠈?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開(kāi)始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過(guò)用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。在光刻膠的生產(chǎn)上，我國(guó)主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，2015年據(jù)統(tǒng)計(jì)我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線(xiàn)路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當(dāng)時(shí)分辨率5um，如今除可見(jiàn)光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。光刻膠編碼HS編碼:3707100001[類(lèi)注]|[章注]|[子目注釋]中文描述:不含銀的感光乳液劑（CIQ碼：301:液體）英文描述:Non--0--silverlight-sensitiveemulsionagent申報(bào)要素:0。

芯片光刻的流程詳解（二）

所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。

光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱(chēng)光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上，經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段；

對(duì)準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對(duì)版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時(shí)間，由光源強(qiáng)度，光刻膠種類(lèi)，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進(jìn)行烘焙，稱(chēng)為光后烘焙（PEB）

PC6-16000

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影