晶宇興的溫補振蕩器的性能

溫補晶體振蕩器，采用陶瓷一體化全密封結(jié)構(gòu)，將所有元器件和電路集成密封在陶瓷基座中，同時具有頻率高、體積小和頻率溫度穩(wěn)定性好和可靠性高的特點。該產(chǎn)品輸出頻率上限達到了200MHz，相對于國內(nèi)現(xiàn)有宇航用小型溫補晶振，頻率上限提高了3倍；相對于現(xiàn)有宇航用高頻溫補晶振，體積縮小為二十分之一；相對于分體式結(jié)構(gòu)的小型高頻溫補晶振，具有更高的可靠性。

晶體振蕩器頻率控制方法

振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容，而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關(guān)切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲，但牽引范圍被限制在約±200ppm。當系統(tǒng)應(yīng)用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時，用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構(gòu)，因為它們可以提供高達±1600ppm的牽引范圍。

溫補振蕩器發(fā)展

準確頻率源是許多電子設(shè)備組成部分,頻率源性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性。隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,對頻率源的要求也越來越高。普通晶體振蕩器是常用的頻率源,但由于其振蕩頻率隨溫度變化呈近似的三次函數(shù)關(guān)系,它的應(yīng)用范圍受到了限制。為了獲得寬溫度范圍的準確頻率源,通常采用電路對其進行溫度補償。 本文設(shè)計了一款溫度補償晶體振蕩器(TCXO)芯片,該芯片只需外接一顆石英晶振便可構(gòu)成TCXO,該芯片分為壓控晶體振蕩器和模擬溫度補償電路兩個部分。其中的壓控晶體振蕩器的壓控電容采用MOS可變電容,實現(xiàn)起來成本低。