選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

晶體振蕩器是干什么用的

晶振是一種頻率元件，材料用的是石英或者水晶，又因振蕩功能所以叫做晶振。分為石英晶振、陶瓷晶振、貼片晶振、插件晶振、有源晶振、無(wú)源晶振、溫補(bǔ)晶振。一般的晶振作用是產(chǎn)生振蕩，晶振有不同的頻率，可以使電路工作在穩(wěn)定的頻率范圍之內(nèi)。它是給集成電路的啟振器件，晶振就是步調(diào)基準(zhǔn)、穩(wěn)定頻率、選擇頻率。幾乎所有工業(yè)，科技，車(chē)載，數(shù)碼，電子等多個(gè)領(lǐng)域都可以用得上晶振。

晶振起振原理

石英晶片所以能做振蕩電路（諧振）是基于它的壓電效應(yīng)，從物理學(xué)中知道，若在晶片的兩個(gè)極板間加一電場(chǎng)，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；反之，若在極板間施加機(jī)械力，又會(huì)在相應(yīng)的方向上產(chǎn)生電場(chǎng)，這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電效應(yīng)。

如在極板間所加的是交變電壓，就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。一般來(lái)說(shuō)，這種機(jī)械振動(dòng)的振幅是比較小的，其振動(dòng)頻率則是很穩(wěn)定的。

但當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電諧振，因此石英晶體又稱(chēng)為石英晶體諧振器。其特點(diǎn)是頻率穩(wěn)定度很高。

壓控晶體振蕩器

用外加電壓對(duì)晶振的頻率進(jìn)行控制，這就是壓控晶振，壓控晶振廣泛用于晶振頻率的電校準(zhǔn)，鎖相晶振，模擬和數(shù)字溫補(bǔ)晶振，頻率調(diào)制和頻率捷變技術(shù)中。壓控頻偏，壓控線性和頻率穩(wěn)定度是壓控晶振的3個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，對(duì)晶振頻率進(jìn)行壓控總是以犧牲晶振的頻率穩(wěn)定度為代價(jià)的，若非必要，切不可對(duì)晶振的壓控頻偏提出過(guò)分要求。