氣壓燒結法(GPS)獲得很大的進展

氣壓燒結法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規(guī)模生產。

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主

氮化硅磚就是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為關鍵礦物質成分的耐火保溫材料產品。普通輕質隔熱耐火磚消費的材質有粘土質、高鋁質高強漂珠磚，低鐵莫來石、高鋁聚輕隔熱耐火磚，硅藻土隔熱耐火磚。這種磚耐火度高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣侵蝕性強，熱穩(wěn)定性，對酸性渣也是有一定的適應能力。氮化硅（Si3N4）存有有3種結晶體構造，分別是α、β和γ三相。制得方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。燒造氮化硅磚的生產工藝流程與鎂質磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過程中因為MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。優(yōu)勢氮化硅磚耐火度高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣侵蝕性強，熱穩(wěn)定性，對酸性渣也是有一定的適應能力。運用用以航空公司、冶金工業(yè)、機械設備、半導體材料等工業(yè)生產中生產制造高溫滾動軸承、冶金工業(yè)鉗鍋、半導體材料地區(qū)冶煉舟器等。氮化硅是一種關鍵的構造結構陶瓷。它是一種超硬化學物質，自身具備潤濕性，而且抗磨損，為原子晶體；高溫時。并且它還能抵御熱冷沖擊性，在空氣中加溫到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加溫，也不會。

耐火材料一般分為兩種,即不定型

耐火材料一般分為兩種，即不定型耐火材料和定型耐火材料。熱壓燒結法（HPS)是將Si3N4粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等），在1916MPa以上的壓強和1600℃以上的溫度進行熱壓成型燒結。不定型耐火材料也叫澆注料，是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料，使用時需要和一種或多種液體配合攪拌均勻，具有較強的流動性。定型耐火材料一般指耐火磚，其形狀有標準規(guī)則，也可以根據需要筑切時臨時加工。反應燒結法（ RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。常壓燒結法（ PLS)在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。氣壓燒結法（ GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。