將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過各種方法（如機械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時間只有2.2s?？梢?，在蒸發(fā)鍍膜過程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達基片上的速率大于殘余氣體到達基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點對于活性金屬材料基片更為重要，因為這些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

氣態(tài)的原子、分子在真空中經(jīng)過很少的碰撞遷移到基體。(3)鍍料原子、分子沉積在基體表面形成薄膜。(二)蒸發(fā)源將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源。zui常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。(三)真空蒸鍍工藝實例以塑料金屬化為例,真空蒸鍍工藝包括：鍍前處理、鍍膜及后處理。真空蒸鍍的基本工藝過程如下：(1)鍍前處理，包括清洗鍍件和預(yù)處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制