IC傳感器

IC 傳感器可在-55°C至 150°C的溫度范圍內(nèi)工作 -- 精選的幾種IC傳感器工作溫度可高達(dá) 200°C。有各種類型的集成式IC傳感器，不過四種常見的集成式IC傳感器當(dāng)屬模擬輸出器件、數(shù)字接口器件、遠(yuǎn) 程溫度傳感器以及那些具有溫控器功能的集成式IC傳感器(溫度開關(guān))。模擬輸出器件(一般是電壓輸出，但有些也具有電流輸出)在其需要ADC來對輸出信號 進(jìn)行數(shù)字化處理時像無源解決方案。摩托車發(fā)動機工作環(huán)境較為惡劣,震動大,油污多,而霍爾傳感器具有無觸點、長壽命、高可靠性、無火花、無自激振蕩、溫度性能好、抗污染能力強、構(gòu)造簡單、堅固、體積小、耐沖擊等諸多優(yōu)點,這些特點決定了摩托車上使用霍爾效應(yīng)式傳感器是個很好的選擇。數(shù)字接口器件常使用兩線接口(I2C或PMBus)，并具有內(nèi)置的ADC。

除了也包括一個局部溫度傳感器外，遠(yuǎn)程溫度傳感器還具有一路或多路輸入以便監(jiān)測遠(yuǎn)程二極管溫度 -- 它們常被置于高度集成的數(shù)字IC(例如，處理器或現(xiàn)場可編程門陣列【FPGA】)中。當(dāng)達(dá)到溫度閾值時，溫控器可提供簡單的警報。

使用IC傳感器有許多好處，包括:功耗低;可提供小型封裝產(chǎn)品(有些尺寸小到0.8mm×0.8mm);還可在某些應(yīng)用中實現(xiàn)低器件成本。此外，由于IC傳 感器在生產(chǎn)測試過程中都經(jīng)過校準(zhǔn)，因此沒有必要進(jìn)一步校準(zhǔn)。在計算由量測劃分產(chǎn)生的量測子集的權(quán)重時,由于IC-PHD濾波不能充分利用多個傳感器的量測信息,有時會出現(xiàn)權(quán)重過大或過小的現(xiàn)象。它們通常用于健身跟蹤應(yīng)用、可佩戴式產(chǎn)品、計算系統(tǒng)、數(shù)據(jù)記錄器和汽車應(yīng)用。

TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器

1995 年，由美國麻省理工學(xué)院和日本東北大學(xué)的兩個研究小組獨立發(fā)現(xiàn)，將兩個磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開會產(chǎn)生很大的磁電阻效應(yīng)(室溫下達(dá)到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，稱為磁性隧道結(jié)(MTJ)。在MTJ 中，中間的絕緣層很薄(幾個納米)，使得可以有大量電子隧穿通過。通過隧道結(jié)的電流依賴于兩個磁性層的磁化強度矢量的相對取向。這種隧穿電流隨外磁場變化的效應(yīng)被稱為隧道磁電阻(TMR)效應(yīng)。隧道磁電阻效應(yīng)可以由Julliere 雙電流模型解釋。由于貼合TMR器件與超導(dǎo)磁放大器的低溫膠過厚導(dǎo)致TMR—超導(dǎo)磁放大器間距過大(50μm)，使得TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器、SQUID等器件仍有明顯差距。假定電子在隧穿過程中自旋不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，并且隧穿電流正比于費米面附近電子的態(tài)密度。當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于平行排列時，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，左側(cè)的多子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，MTJ 處于低阻態(tài)；當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于反平行排列時，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，而左側(cè)的多子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，MTJ 呈現(xiàn)高阻態(tài)。

由于貼合TMR器件與超導(dǎo)磁放大器的低溫膠過厚導(dǎo)致TMR—超導(dǎo)磁放大器間距過大(50 μm)，使得TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計算表明，減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距將使得磁場放大倍數(shù)呈指數(shù)形式上升；若能將TMR—超導(dǎo)磁放大器間距降低至0.5 μm以內(nèi)，磁場放大倍數(shù)可接近1000 倍。今后可通過熱壓印等技術(shù)減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距，從而提高器件的靈敏度。深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

CMOS傳感器你知道多少

CMOS傳感器采用普通半導(dǎo)體電路常用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、本錢低等特性，近幾年在寬動態(tài)、低照度方面展開疾速。CMOS即互補性金屬氧化物半導(dǎo)體，主要是應(yīng)用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，經(jīng)過CMOS上帶負(fù)電和帶正電的晶體管來完成基本的功用。其中為了克服深反應(yīng)離子刻蝕關(guān)于深寬比不能做大的限制和降低噪聲，詳細(xì)介紹了電磁驅(qū)動增大傳感器初始檢測電容的工作原理，通過嵌入可動電極和電磁驅(qū)動作用減小電容間隙，結(jié)果表明，電磁驅(qū)動使得傳感器的電容間隙減小4μm，初始檢測電容由1。這兩個互補效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處置芯片記載和解讀成影像。

CCD和CMOS的參數(shù)對比

1、壞點數(shù)

由于遭到制造工藝的限制，關(guān)于有幾百萬像素點的傳感器而言，一切的像元都是好的情況幾乎不太可能，壞點數(shù)是指芯片中壞點（不能有效成像的像元或相應(yīng)不分歧性大于參數(shù)允許范圍的像元）的數(shù)量，壞點數(shù)是權(quán)衡芯片質(zhì)量的重要參數(shù)。

2、 光譜響應(yīng)

光譜響應(yīng)是指芯片關(guān)于不同光波長光線的響應(yīng)才干，通常用光譜響應(yīng)曲線給出。

從產(chǎn)品的技術(shù)展開趨向看，無論是CCD還是CMOS，其體積小型化及高像素化仍是業(yè)界積極研發(fā)的目的。由于像素尺寸小則圖像產(chǎn)品的分辨率越高、明晰度越好、體積越小，其應(yīng)用面更普遍。