而在電路未啟動之前，由于高壓端啟動電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓，一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預設值偏低。電路也是不會啟動的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路，因為耦合效果好，次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導通1V以上，避免驅(qū)動不足。

即讓某引線從別的電阻、電容、三極管腳下的空隙處“鉆”過去，或從可能交叉的某條引線的一端“繞”過去，在特殊情況下如何電路很復雜，為簡化設計也允許用導線跨接，解決交叉電路問題。因采用單面板，直插元件位于top面，表貼器件位于bottom面，所以在布局的時候直插器件可與表貼器件交疊，但要避免焊盤重疊。3．輸入地與輸出地本開關(guān)電源中為低壓的DC－DC，欲將輸出電壓反饋回變壓器的初級，兩邊的電路應有共同的參考地，所以在對兩邊的地線分別鋪銅之后，還要連接在一起，形成共同的地五、檢查布線設計完成后，需認真檢查布線設計是否符合設計者所制定的規(guī)則，


之前是犯了這個很低級的錯誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設計，大電容或其它電容做成臥式時，底部如有跳線需放在負極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認書或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應商送貨一至性，避免供應商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應商做手腳，導致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導致。 22.電路設計，Snubber 電容，因為有異音問題，優(yōu)先使用Mylar電容 。