氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。ZnO半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達(dá)60MeV,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價值。制備難度和誘人的應(yīng)用前景使得氧化鋅晶體的生長技術(shù)成為材料研究的熱點(diǎn)。氧化鋅晶體可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程,而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程,控制了氧化鋅晶體的尺寸。

(1) XRD結(jié)果表明本試驗(yàn)所獲得的產(chǎn)物全為ZnO,峰形尖而窄,說明其結(jié)晶度高,XRD圖譜與JCPDS卡片號36-1451一致,表明產(chǎn)物均為六方結(jié)構(gòu)的ZnO,同時,晶格常數(shù)a=0.3257nm,c=0.52156nm,因此本文研究得到的氧化鋅晶體為六方紅鋅礦結(jié)構(gòu)。

 (2) 通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明,晶體像一根長針,說明晶體沿一個方向生長,從XRD看出,(000ι)為主要生長方向,這與通常報道的氧化鋅具有沿 c軸取向生長的機(jī)理相同。