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IGBT模塊在使用時的損壞原因

IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數(shù)過電壓保護的電路設(shè)計都比較完善，但是對于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態(tài)控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。冷卻：更換雜質(zhì)、離子過濾芯，更換蒸餾水，檢測漏水，水的電導(dǎo)率。

采用柵極電壓動態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當IGBT處于感性負載運行時，半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個瞬間電流，流向柵極驅(qū)動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)致變換器的橋臂短路。本公司自成立以來已經(jīng)和全國各地多家醫(yī)療機構(gòu)、設(shè)備代理商以及維修商展開合作。

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設(shè)備名稱：科醫(yī)人鈥激光設(shè)備

故障現(xiàn)象：設(shè)備在使用過程中，無法使用大功率。

檢測結(jié)果：經(jīng)我方工程師現(xiàn)場勘察排查確定是鏡片損壞。

解決方案：更換配件，功率校準，光路調(diào)試。開機試機，一次通過！

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光纖清洗滅菌管理：

1. 專科專人清洗；

2. 常規(guī)行光纖檢測、剪斷、外包層剝脫及切割；

3. 明確標示，果斷淘汰；

4. 規(guī)范盤繞固定；

5. 低溫滅菌：環(huán)氧乙1烷、低溫等離子。

光纖存放管理：

1. 單獨存放，避免受壓；

2. 專人管理；

3. 實時調(diào)整基數(shù)，保證有備用光纖使用。