真空鍍膜設備背壓檢漏法

背壓檢漏法是一種充壓檢漏與真空檢漏相結合的方法，真空鍍膜設備中多用于封離后的電子器件、半導體器件等密封件的無損檢漏技術中。

其檢漏過程基本上可分為充壓、凈化和檢漏三個步驟。

(1)充壓過程是將被檢件在充有高壓示漏氣體的容器內存放一定時間，如被檢件有漏孔，示漏氣體就可以通過漏孔進入被檢件的內部，并且將隨浸泡時間的增加和充氣壓力的升高，被檢件內部示漏氣體的分壓力也必然會逐漸升高。

(2)凈化過程是采用干燥氮氣流或干燥空氣流在充壓容器外部或在其內部噴吹被檢件。

如不具備氣源時也可使被檢件靜置，以便去除吸附在被檢件外表面上的示漏氣體。

在凈化過程中，因為有一部分氣體必然會從被檢件內部經漏孔流失，從而導致被檢件內部示漏氣體的分壓力逐漸下降，而且凈化時間越長，示漏氣體的分壓降就越大。

(3)檢漏過程則是將凈化后的被檢件放入真空室內，將檢漏儀與真空室相連接后進行檢漏。

抽真空后由于壓差作用，示漏氣體即可通過漏孔從被檢件內部流出，然后再經過真空室進入檢漏儀，按檢漏儀的輸出指示判定漏孔的存在及其漏率的大小。

真空鍍膜過程的對于濺射類鍍膜到底多重要？

可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的，鍍膜設備的好壞主要在于能否精準控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產上比較常用的一體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

什么是真空鍍膜設備的虛漏及漏孔？

一、虛漏：

虛漏是由于設計或制造加工工藝不當，在真空鍍膜設備內形成貯存氣源的洞穴，這些氣體在真空環(huán)境下慢慢釋放出來，形同漏氣，簡稱虛漏。

例如，真空鍍膜設備內的緊固螺釘沒有出氣孔，焊縫交叉設計，焊接不完善留有孔穴等都會造成虛漏現(xiàn)象。

二、漏孔：

漏孔是真空鍍膜設備內的電真空器件中直徑微米數(shù)量級的小漏孔，空氣中的塵?；蛞后w都很容易造成漏孔的堵塞，這些就算你當時修理好了也是暫時性的，檢漏時好像不漏，但經過抽氣之后，又會出現(xiàn)漏氣。

所以為了檢查，一定要仔細處理好檢漏部位，盡量不用手去摸被檢測區(qū)域，避免塵?；蛴椭氯┛?。

真空鍍膜機鍍膜技術和濕式鍍膜技術

隨著科學技術的發(fā)展，真空鍍膜技術成為了各行各業(yè)提高產品質量的手段，真空鍍膜所需費用較低經濟效益顯著讓越來越多的企業(yè)躍躍欲試，我國生產的真空鍍膜機已經達到了相當水平，可以鍍制的真空鍍膜材料也越來越多，但和國外的設備對比也存在著一點差距，對于真空技術的研發(fā)有待提高。

真空鍍膜技術的膜材選材廣泛，可以控制膜的厚度并鍍制不同功能和性能的薄膜，就能使材料具備許多新的化學和物理性能。濕式鍍膜技術是過去的一種鍍膜方式，即化學鍍或者電鍍，是應用化學還原的原理沉積在材料上，這種方法會產生廢液污染環(huán)境，以往很多電鍍設備廠因為污染問題紛紛轉變鍍膜工藝。

真空鍍膜技術鍍制的薄膜，膜層不易受到污染，在真空環(huán)境中可以提高純度和致密性，不產生廢液不污染環(huán)境。真空鍍膜本身污染，但是實際鍍制中會用到有機涂料，所以也會產生污染，然而相比濕式電鍍技術，污染小很多，真空鍍膜技術生產具有很強的生命力，但也不是說真空鍍膜技術就可以完全取代傳統(tǒng)的濕式鍍膜技術了，在膜層的厚度，耐老化上濕式鍍膜法仍然占據(jù)優(yōu)勢，真空鍍膜鍍制的膜層比較薄。

另外，牢固的膜層是受工藝和附著力所影響，不管是真空鍍膜技術還是濕式鍍膜技術，如果材料表面沒有清潔干凈都會影響膜層和材料的結合。