MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermalrunaway）。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。兩個(gè)輸出端能直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)的正反向運(yùn)動(dòng)，它具有較大的電流驅(qū)動(dòng)能力，每通道能通過750~800mA的持續(xù)電流，峰值電流能力可達(dá)1。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。現(xiàn)在市面上實(shí)際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。N 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。4、它的電路要求,因?yàn)楹芏鄷r(shí)候,要求電路裝在一個(gè)很小的空間里,以配合LED照明的方便性,所以電路應(yīng)盡可能的簡(jiǎn)單,這樣也能節(jié)約成本、減少能耗。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

蜂鳴器驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品特點(diǎn)

特性1　內(nèi)嵌了電荷泵電源電路，能開展6擋音量調(diào)節(jié)

NJU72501內(nèi)嵌有電荷泵電源電路，以3VP-P震幅鍵入的工作電壓可以較大擴(kuò)大到18VP-P來驅(qū)動(dòng)器IC。

內(nèi)嵌的電荷泵電源電路由邏輯性數(shù)據(jù)信號(hào)操縱可以轉(zhuǎn)換變壓倍率為1倍、2倍、3倍。因而，在單端輸出時(shí)，可以以3擋調(diào)整聲音；在BTL輸出時(shí)，可以以6擋調(diào)整聲音。

特性2　關(guān)機(jī)作用可以降低耗費(fèi)電流量

NJU72501常備關(guān)機(jī)作用，當(dāng)無鍵入數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，此作用將終止內(nèi)部電源電路工作中來提升效益電流量。因而，有益于增加機(jī)器設(shè)備的電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間。

新型LED驅(qū)動(dòng)器IC與傳統(tǒng)產(chǎn)品的比較

傳統(tǒng)產(chǎn)品如果沒有配備外部電路，當(dāng)電池電壓下降時(shí)，會(huì)導(dǎo)致LED燈關(guān)閉，可能會(huì)在車輛運(yùn)行中造成危險(xiǎn)情況。時(shí)鐘可以來自片內(nèi)rc振蕩器、晶體振蕩器、或由s/w設(shè)置的外部256khz的時(shí)鐘。不過，羅姆的新型LED驅(qū)動(dòng)器IC在提供穩(wěn)定照明的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)插座式LED燈的小型化。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

此外，該IC還內(nèi)置了抑制LED產(chǎn)生熱量的功能，為通常運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量的白色LED燈提供支持，可用于使用白色LED燈的DRL和其他車輛照明系統(tǒng)中。