溫度對(duì)微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化過(guò)程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過(guò)較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，使電解液及時(shí)冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過(guò)程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過(guò)程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化抹的特點(diǎn)

       微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強(qiáng)，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強(qiáng)，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區(qū)間較窄，要求對(duì)放電后的電參數(shù)控制比較好，大電流、高電壓對(duì)供電電源提出了高要求，由于對(duì)微弧氧化本質(zhì)認(rèn)識(shí)限制，使得電源的設(shè)計(jì)及制造仍停留在經(jīng)驗(yàn)摸索層面上，帶有很大的盲目性。鋁合金微弧氧化又稱(chēng)等離子體微弧氧化，等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源

微弧氧化技術(shù)的特點(diǎn)

1、微弧氧化采用弱堿性溶液，對(duì)周?chē)h(huán)境不造成污染，屬于清潔加工工藝和環(huán)保型表面處理技術(shù)，微弧氧化中只放出氫氣、氧氣，對(duì)人體無(wú)害。

2、工藝簡(jiǎn)單，特別對(duì)于工業(yè)樣品的預(yù)處理不像陽(yáng)極氧化要求的那樣嚴(yán)格和繁雜，只要求樣品表面去污去油，不需要去除表面的自然氧化層，也不需要表面打磨。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化工藝、微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化工藝研究

        微弧氧化的工藝研究主要集中在電流密度、電解液組成、電源模式、基材成分等工藝因素對(duì)氧化膜的厚度、結(jié)構(gòu)與性能的影響方面。 指出，電流密度對(duì)微弧氧化膜厚度有著決定性影響。2、隨著氧化時(shí)間的增加，工業(yè)鋁型材表面微孔密度降低，但粗糙度變大。在含有濃度6%水玻璃的電解液中，使用工業(yè)交流電源，對(duì)兒種不同鋁合金，依零件的不同幾何形狀和尺寸，電流密度在1--50A / cm2范圍內(nèi)，經(jīng)60次微弧氧化實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，形成的氧化膜厚度與電流密度成線性關(guān)系。