氮化硅結(jié)合碳化硅制品介紹

氮化硅融合碳化硅產(chǎn)品：氮化硅融合碳化硅原材料是一種耐火保溫材料，關(guān)鍵商品有氮化硅融合碳化硅輻射管、氮化硅融合碳化硅磚等。被廣泛運用于鋼材、稀有金屬、化工廠裝飾建材等多種多樣制造行業(yè)，具備環(huán)保節(jié)能、環(huán)境保護、耐熱、抗腐蝕等眾多優(yōu)勢。其結(jié)構(gòu)特征是：SiC大顆粒為基質(zhì)所包圍，基質(zhì)部分由粒狀SiC和原位生成的纖維狀Si3N4所組成，Si3N4纖維交織成三維空間網(wǎng)絡(luò)，將SiC小顆粒包圍起來，并與SiC大顆粒形成牢固的機械結(jié)合。氮化硅產(chǎn)品在工業(yè)窯爐中使用過之后，也會出現(xiàn)氧化狀況，一些氮化硅磚氧化之后會和碳化硅磚一樣，氮化硅氧化變?yōu)樘蓟?，展現(xiàn)黑色的碳化硅顆粒物，假如氧化的比較嚴重的狀況下，氮化硅的容積會出現(xiàn)松散，碳化硅含量降低，體積密度減少，抗壓抗壓強度也會大幅度降低。除此之外，氮化硅還能運用到太陽能電池板中。用PECVD法鍍氮化硅膜后，不僅能做為減反射膜可減少入射角的反射面，并且，在氮化硅薄膜的堆積全過程中，反映物質(zhì)氫原子進到氮化硅薄膜及其硅單晶內(nèi)，具有了鈍化處理缺點的功效。這兒的氮化硅氮硅原子數(shù)量比并并不是嚴苛的4:3，只是依據(jù)加工工藝標準的不一樣而在一定范疇內(nèi)起伏，不一樣的分子占比相匹配的薄膜的物理特性各有不同。

氣壓燒結(jié)法(GPS)獲得很大的進展

氣壓燒結(jié)法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。鎂砂原料的純度要盡可能高，鉻鐵礦化學成分的要求為：Cr2O330～45%，CaO不大于1。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

硅粉中含有許多雜質(zhì)，如Fe，Ca，Aì，Ti等。Fe被認為是反應(yīng)過程中的催化劑。它能促進硅的擴散，但同時，也將造成氣孔等缺陷。若對Si3N4陶瓷材料進行1400———1500℃高溫預(yù)氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高Si3N4陶瓷的耐氧化性和高溫強度。Fe作為添加劑的主要作用：在反應(yīng)過程中可作催化劑，促使制品表面生成SiO2氧化膜；形成鐵硅熔系，氮溶解在液態(tài)FeSi2中，促進β-Si3N4的生成。但鐵顆粒過大或含量過高，制品中也會出現(xiàn)氣孔等缺陷，降低性能。一般鐵的加入量為0～5%。Al，Ca，Ti等雜質(zhì)，易與硅形成低共熔物。適當?shù)奶砑恿?，可以促進燒結(jié)，提高制品的性能。