化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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鈀的化學氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產氫凈化設備 。也有些學者使用化學氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機化合物當做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫。

化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜：

化學氣相沉積法在半導體工業(yè)中有著比較廣泛的應用。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。在當代，微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來有可能發(fā)展成開關以及存儲記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。化學氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反響，生成固態(tài)物質堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。

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化學氣相沉積產品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優(yōu)點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

等離子體化學氣相沉積的化學反應

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等離子體內的化學反應

由于輝光放電過程中對反應氣體的激勵主要是電子碰撞，因此等離子體內的基元反應多種多樣的，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復雜，這些都給PECVD技術制膜過程的機理研究增加了難度。迄今為止，許多重要的反應體系都是通過實驗使工藝參數(shù)較優(yōu)化，從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機理，便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導率能達到純銥或者純鉑的百倍以上。