三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）18）其他輔件。 C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測試設備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；包裝與運輸由專人負責，每個部分隨機文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。 ?小電流測量設備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設定