化學(xué)氣相沉積的分類

化學(xué)氣相沉積的方法很多，如常壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學(xué)氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學(xué)氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。這些粒子和基團(tuán)（這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán)）在漂移和擴(kuò)散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會(huì)發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過程。

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等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點(diǎn)

原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時(shí)，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運(yùn)，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。刻蝕腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。主要特點(diǎn)是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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