磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點

(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點的相對密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術(shù)性速率明顯增強。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴提升1倍。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。

(2)對鋼件表層改性材料成效顯著，工藝性能高，真空泵加溫易清除高溫冶煉廠時融解的汽體，并可根據(jù)滲人金屬材料更改PCB的機構(gòu)和構(gòu)造，使耐磨性能、耐蝕性、強度和斷裂韌性等眾多特性獲得改進。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。而且因為清理功效，使金屬材料粗糙度減少，除去不銹鋼鈍化的殘渣和廢棄物，改進了金屬材料的工藝性能。 

(3)加工工藝適應(yīng)能力強，有利于解決方式繁雜的鋼件。烘烤的目的是徹底清除基片表面殘余的水份,并使基片加熱到一定的溫度,很多材質(zhì)在較高的基片溫度下可以增強結(jié)合力和膜層的致密性。傳統(tǒng)式的正離子注人技術(shù)性的致命性缺點是注人全過程是1個視野全過程，只能曝露在正離子搶口下的鋼件表層能夠被注人，針對鋼件中必須表層改性材料的內(nèi)表層或管溝表層等，離子束則很難達到，而且一回只有注一人鋼件，注人率低，機器設(shè)備繁雜價格昂貴

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磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計和生產(chǎn)工藝成本核算的一個參數(shù)。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊Ar產(chǎn)生離子的概率。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點,圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的,如何提高靶材利用,請到此一看的朋友,在下面留下你的見解,提供好的方法。

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磁控濺射原理

濺射過程即為入射離子通過--系列碰撞進行能量和動量交換的過程。

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar離子和電子，電子飛向基片，在此過程中不斷和Ar原子碰撞，產(chǎn)生更多的Ar離子和電子。磁控濺射鍍膜的特點1、靶材粒子能量高（比熱蒸發(fā)高出1個數(shù)量級），所制備膜層更致密，與石英片結(jié)合力更高：2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好。Ar離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。

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