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為什么選擇同方迪一高壓瓷片電容
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同方迪一分享瓷片電容的讀數(shù)方法
瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同,分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000納法(nF),1納法=1000皮法(pF)。
容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10μF/16V;
容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;
字母表示法:2m=2000μF,1P2=1.2PF,2n=2000PF;
數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字,第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù),它們的單位都是pF。
例如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。
211表示標(biāo)稱容量為210pF。
214表示標(biāo)稱容量為21x10(4)pF。
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況,就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時(shí),是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如:219表示標(biāo)稱容量為21x(10-1)pF=2.2pF。
同方迪一分享電解電容與瓷片電容作用有何不同?
一、瓷片電容與電解電容
瓷片電容(ceramic capacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
電解電容是電容的一種,金屬箔為正極(鋁或鉭),與正極緊貼金屬的氧化膜(氧化鋁或五氧化二鉭)是電介質(zhì),陰極由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)(電解質(zhì)可以是液體或固體)和其他材料共同組成,因電解質(zhì)是陰極的主要部分,電解電容因此而得名。同時(shí)電解電容正負(fù)不可接錯(cuò)。
二、瓷片電容與電解電容區(qū)別
電解電容與瓷片電容的構(gòu)造和特性有很大的不同!前者是有極大容量低頻特性!后者是無小容量高頻特性!電解電容多用在藕合,濾波,退藕,等音頻及低通電路!容量多為幾微微法到0.1微法!
瓷片電容多用在振蕩,選頻,藕合,反饋等高頻和特高頻電路!瓷片電容的高頻特性很好!穩(wěn)定性也很好!是高頻電路里的常用電容!容量多為0.5微法到幾千至上萬微法!
同方迪一解析大瓷片電容并聯(lián)小瓷片電容的原因
瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
市面上的電容器通常使用多層卷繞的方式制作,而容量越大的電容器體積一般也比較大,這導(dǎo)致了大容量電容器的分布電感比較大。在物理學(xué)中電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的,所以大瓷片電容的高頻性能往往不好。而一些小瓷片容量的電容器則剛剛相反,因?yàn)槿萘啃◇w積可以也可以做得很小,這樣它具有了很好的高頻性能。
如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過,我們常常在一個(gè)大瓷片電容再并上一個(gè)小瓷片電容的方式。例如使用的小電容為 0.1uF的瓷片電容器,當(dāng)頻率更高時(shí),還可并聯(lián)更小的電容器,如幾pF,幾百pF的。而在數(shù)字電路中,一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的 電容器到地,因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào),使用較小的電容器濾波可以了。