電子束蒸發(fā)的優(yōu)點在于：

電子束的光斑可以隨意調(diào)整，可以一槍多用，燈絲可以隱藏，避免污染，可以蒸發(fā)任意鍍膜材料，維修方便，蒸發(fā)速度可以隨意控制，材料分解小，膜密度高。機械強度好。濺射方式是用高速正離子轟擊靶材表面，通過動能傳輸，令靶材的分子（原子）有足夠的能量從靶材表面逸出，在產(chǎn)品表面凝聚形成薄膜。用濺射的方法制鍍的薄膜附著性強，薄膜的純度高，可以同時濺射多種不同成分的材料，但是對靶材的要求高，不能象電子槍一樣節(jié)約資源。目前運用多的有磁控濺射，磁控濺射是指平行于陰極表面施加強電場，將電子約束在陰極靶材表面附近，提高電離效率。它是操作簡單的一種，所以運用非常廣。

鍍膜理論

鍍膜控制穿過光學(xué)干涉機制的反射光和透射光。當(dāng)兩個光束沿著同步路徑傳輸及其相位匹配時，波峰值的空間位置也匹配并將結(jié)合創(chuàng)建較大的總振幅。當(dāng)光束為反相位（180°位移）時，其疊加會導(dǎo)致在所有峰值的消減效應(yīng)，導(dǎo)致結(jié)合的振幅降低。這些效應(yīng)被分別稱為建設(shè)性和破壞性的干涉。

光的波長和入射角通常是的，折射率和層厚度則可以有所不同以優(yōu)化性能。上述的任何更改將會影響鍍膜內(nèi)光線的路徑長度，并將在光透射時改變相位值。這種效應(yīng)可簡單地通過單層增透膜例子說明。當(dāng)光傳輸穿過系統(tǒng)時，在鍍膜任一側(cè)的兩個接口指數(shù)更改處將出現(xiàn)反射。為了盡量減少反射，我們希望它們在個接口重組時，這兩個反射部分具有180°的相位移。這個相位差異直接對應(yīng)于aλ/2位移的正弦波，它可通過將層的光學(xué)厚度設(shè)置為λ/4獲得良好實現(xiàn)。

真空鍍膜機鍍膜層厚度范圍

真空鍍膜機鍍膜層厚度范圍 真空鍍膜機能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2，可以在這個范圍內(nèi)選擇，有的還可以鍍多層膜，滿足多種需要。日本專利提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。該裝置的真空室分為上室，左下室和右下室。蒸鍍時，兩組蒸發(fā)源蒸發(fā)的鍍膜材料分別沉積在塑料薄膜上，在塑料薄膜沒有蒸鍍的一側(cè)，裝上輝光放電發(fā)生器。發(fā)生器產(chǎn)生的輝光放電氣體能防止塑料薄膜起皺。使用這套裝置可以在極薄的塑料薄膜上鍍上無折皺的多層膜，用于制磁帶和薄膜太陽能電池等。