電光調(diào)制器的應(yīng)用

電光調(diào)制器有很多用途。相位調(diào)制器可用于相干光纖通信系統(tǒng)，在密集波分復(fù)用光纖系統(tǒng)中用于產(chǎn)生多光頻的梳形發(fā)生器，也能用作激光束的電光移頻器。

電光調(diào)制器有良好的特性，可用于光纖有線電視（CATV）系統(tǒng)、無線通信系統(tǒng)中繼站與中繼站之間的光鏈路和其他的光纖模擬系統(tǒng)。

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光波在介質(zhì)中的傳播規(guī)律受到介質(zhì)折射率分布的制約，而折射率的分布又與其介電常量（電容率）密切相關(guān)。晶體折射率可用施加電場(chǎng)E的冪級(jí)數(shù)表示，即或?qū)懗墒街校?γE 是一次項(xiàng)，由該項(xiàng)引起的折射率變化，稱為線性電光效應(yīng)或泡克耳斯(Pockels)效應(yīng)；由二次項(xiàng) bE2 引起的折射率變化，稱為二次電光效應(yīng)或克爾（Kerr ）效應(yīng)。對(duì)于大多數(shù)電光晶體材料，一次效應(yīng)要比二次效應(yīng)顯著，可略去二次項(xiàng)。根據(jù)電光晶體的折射率變化量和外加電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系，電光效應(yīng)可分為線性電光效應(yīng)(泡克耳斯效應(yīng))和二次電光效應(yīng)(克爾效應(yīng))。

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電光調(diào)制器系列

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850nm電光強(qiáng)度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強(qiáng)度調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點(diǎn)，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時(shí)間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器、量子光學(xué)等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強(qiáng)度調(diào)制器     

LiNbO3強(qiáng)度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中?；贛Z推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計(jì)的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域。

調(diào)制器類型介紹

鈮酸鋰調(diào)制器利用鈮酸鋰晶體的電光效應(yīng)并結(jié)合光電子集成工藝制作而成，因其具有高響應(yīng)速度，低插入損耗以及低半波電壓倍廣泛應(yīng)用在光纖通信，微波光子，光纖傳感等領(lǐng)域。今天我們介紹一下鈮酸鋰晶體的電光效應(yīng)及應(yīng)用。

鈮酸鋰晶體為負(fù)單軸晶體(no>ne)，屬于三角晶系，具有3m點(diǎn)群對(duì)稱操作。圖1描述了其晶胞結(jié)構(gòu)及物理坐標(biāo)系的選取。

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