磁控濺射鍍膜機(jī)

銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ,簡稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導(dǎo)電材料,已成熟的應(yīng)用于電機(jī)車擋風(fēng)玻璃、液晶顯示器件、太陽能電池、全息照相和液晶彩色電視等,蓄勢(shì)待發(fā)的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ,簡稱OLED) 。從應(yīng)用角度出發(fā),通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ,薄膜中銦錫低價(jià)化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術(shù)向高精細(xì)化和大型化發(fā)展,磁控濺射法備受歡迎。同時(shí)被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設(shè)定的正交電磁場(chǎng)的電子阱中，直接被磁場(chǎng)的洛倫茲力束縛，使其在磁場(chǎng)B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運(yùn)動(dòng)。

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鍍膜設(shè)備原理及工藝

主要濺射方式：

反應(yīng)濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應(yīng)氣體,通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮?dú)狻?

直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,其工藝設(shè)備簡單,有較高的濺射速率。

中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端,分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。

連續(xù)式的磁控濺射生產(chǎn)線 總體上可以分為三個(gè)部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。

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我國真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

我國鍍膜機(jī)械，經(jīng)過了幾十年發(fā)展，形成了門類齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術(shù)水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應(yīng)的體系，真空鍍膜設(shè)備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個(gè)有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術(shù)從重污染轉(zhuǎn)為輕污染直至以后的無污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機(jī)械設(shè)備研發(fā)必將改變整個(gè)工業(yè)。而且，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領(lǐng)域中推出了離子束增強(qiáng)濺射，采用寬束強(qiáng)流離子源結(jié)合磁場(chǎng)調(diào)制，并與常規(guī)的二極濺射相結(jié)合組成了一種新的濺射模式。

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