由碳與氟反應，或一氧1化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應，或四氯化1碳與氟化銀反應，或四氯1化碳與氟化1氫反應，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學性質穩(wěn)定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產業(yè)中需求量大。電子四氟化碳是目前半導體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一，在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻，以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護航，保證四氟化碳（CF4）的純度和安全穩(wěn)定使用。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升，高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業(yè)的主要增長動力。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。