真空鍍膜機

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。2、極限真空度高，可達7×10-5Pa，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質(zhì)量。

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蒸發(fā)鍍膜

一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4. 真空度

5. 鍍膜時間，厚度大小

組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

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真空鍍膜機的真空室設(shè)計方法

真空鍍膜技術(shù)是在真空條件下采用物理或者化學(xué)方法，使物體表面獲取所需膜體，真空鍍膜技術(shù)根據(jù)其采用方法的不同科分成蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積以及分子束外延等，這次分析的鍍膜設(shè)備采用的是磁控濺射鍍膜。

真空室是真空設(shè)備的一個主要組成部位，真空鍍膜設(shè)備真空室設(shè)計主要考慮的就是密封性和可靠性，結(jié)構(gòu)必須要合理，真空設(shè)備的材料生產(chǎn)都是在真空室內(nèi)進行的，材料對真空度的影響要小，設(shè)計不能馬虎，要注意一些問題。

使用磁控濺射的真空鍍膜機一般采用的是圓筒主體結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)上要保證快速抽空，因氣袋會緩慢的放氣，因此要避免出現(xiàn)隔離孔穴，真空系統(tǒng)上端會加裝磁控濺射槍，為了使真空室和元件有足夠的強度，保證在外部和內(nèi)部的作用力下不產(chǎn)生形狀的變化，厚度需要足夠。

焊接是真空室制造中的一道關(guān)鍵工序，保證焊接之后的真空室不會產(chǎn)生漏氣現(xiàn)象，須合理設(shè)計焊接結(jié)構(gòu)，提高焊接質(zhì)量，處在超高真空的內(nèi)壁粗糙度要拋光使室外室內(nèi)表面很光潔，須特別注意的是需做好防止生銹的措施。

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常見的真空鍍膜材料

氧化物一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

其它化合物硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，硫1化鎘CdS等真空鍍膜材料。

金屬鍍膜材料高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。當(dāng)擴散泵油被電爐加熱時，產(chǎn)生的油蒸汽沿著導(dǎo)流管經(jīng)傘形噴嘴向下噴出?！?