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發(fā)布時間:2020-09-07 18:57  









因為上板面有溶液的堆積﹐減弱了蝕刻反應的進行, 但可以通過調整上 下噴嘴的噴淋壓力來解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。 蝕刻工藝的一個普遍問題是在相同的時間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做 到的。耐腐蝕的感光油墨在使用前,要調整稀稠度,在冬天,油墨很容易凝固。 因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快, 故很難做到同時使全部蝕刻都干 凈。 而采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動噴射是一個有效的解決措施。 要更進一步地改 善, 可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力, 以及對板前沿和板后端采用間歇 蝕刻的方法﹐達到整個板面的蝕刻均勻性。


蝕刻過程中常見的問題

蝕刻速率降低 蝕刻速率降低與許多因素有關, 故需要檢查蝕刻條件 (例如﹕溫度、 噴淋壓力、 溶 液比重、 PH 值和氯化銨的含量等)﹐使其達到適宜的范圍。 蝕刻溶液中出現(xiàn)沈淀 是由于氨的含量過低(PH 值降低)﹐或水稀釋溶液等原因造成的 (例如:冷卻系統(tǒng)漏 水等)。此外﹐更為關鍵的問題是要保持蝕刻機沒有結渣﹐因很多時結渣堆積過多會對蝕刻液的化學平衡產(chǎn)生影響。 溶液比重過高也會造成沈淀。 抗蝕鍍層被浸蝕 是由于蝕刻液 PH 值過低或 CL 含量過高所造成的。 銅的表面發(fā)黑, 蝕刻不動 蝕刻液中 NH4CL 的含量過低所造成的。



化學蝕刻(Chemical etching)-- 氣態(tài)物質(中性原子團)與表面反應, 產(chǎn)物必定易揮發(fā),也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物,具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物;具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層,這樣,化學反應以后 能生成揮發(fā)性物質,亦稱為反應離子蝕刻(RIE) 。2、焊接前清除表面油污,減少焊縫形成的虛焊、氣孔、裂紋等缺陷。 濺射蝕刻(Sputter etching)--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率(Etch rate)--材料的剝離速率,通常以?/min,?/sec,nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻( Isotropic etch)-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。


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