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雙靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
設(shè)備用途:
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質(zhì)量和牢固度。
設(shè)備組成
系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶(2個(gè)靶)、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。
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磁控濺射設(shè)備的主要用途
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(1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
(2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。
(3) 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)
(4)化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。
(5) 在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。
(6)在機(jī)械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。
磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。
【磁控濺射鍍膜設(shè)備】使用注意事項(xiàng)
以下是沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容,沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)磁控濺射產(chǎn)品,歡迎新老客戶(hù)蒞臨。
磁控濺射鍍膜設(shè)備是目種鍍膜產(chǎn)品,相比傳統(tǒng)的水電鍍來(lái)講,磁控濺射鍍膜設(shè)備無(wú)毒性,能夠掩蓋,彌補(bǔ)多種水電鍍的缺陷。
近年來(lái)磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,現(xiàn)國(guó)內(nèi)磁控濺射鍍膜設(shè)備廠(chǎng)家大大小小的也非常多,但是專(zhuān)注于磁控濺射鍍膜設(shè)備生產(chǎn),
經(jīng)驗(yàn)豐富的卻造磁控濺射鍍膜設(shè)備廠(chǎng)家,就一定會(huì)有一定的規(guī)模,這類(lèi)磁控濺射鍍膜設(shè)備不像是小件的東西,
磁控濺射鍍膜設(shè)備其技術(shù)含量非常的高,選購(gòu)磁控濺射鍍膜設(shè)備時(shí)一定要先了解。
磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)含量高,那么就一定要擁有一個(gè)非常強(qiáng)大的磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)工程隊(duì)伍,
磁控濺射鍍膜設(shè)備行業(yè)資深的,磁控濺射鍍膜設(shè)備可根據(jù)用戶(hù)的產(chǎn)品工藝及物殊要求設(shè)計(jì)配置。
自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述
帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能,大到6'旋轉(zhuǎn)平臺(tái),可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達(dá)10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。在實(shí)際情況下,氣場(chǎng)穩(wěn)定,需要設(shè)計(jì)布?xì)庀到y(tǒng),將布?xì)庀到y(tǒng)分級(jí)布置,保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同,同時(shí),布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。
帶有14”立方形不銹鋼腔體,4個(gè)2”的磁控管,DC直流和RF射頻電源。 在選配方面,350 l/s渦輪分子泵,額外的磁控管和襯底加熱功能。