濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽(yáng)極，真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子。

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直流磁控濺射技術(shù)的原理

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直流磁控濺射技術(shù)其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。

【磁控濺射鍍膜設(shè)備】使用注意事項(xiàng)

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磁控濺射鍍膜設(shè)備是目前一種鍍膜產(chǎn)品，相比傳統(tǒng)的水電鍍來(lái)講，磁控濺射鍍膜設(shè)備無(wú)毒性，能夠掩蓋，彌補(bǔ)多種水電鍍的缺陷。

近年來(lái)磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，現(xiàn)國(guó)內(nèi)磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家大大小小的也非常多，但是專注于磁控濺射鍍膜設(shè)備生產(chǎn)，

經(jīng)驗(yàn)豐富的卻造磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家，就一定會(huì)有一定的規(guī)模，這類磁控濺射鍍膜設(shè)備不像是小件的東西，

磁控濺射鍍膜設(shè)備其技術(shù)含量非常的高，選購(gòu)磁控濺射鍍膜設(shè)備時(shí)一定要先了解。

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濺射鍍膜的特點(diǎn)

濺射就是從靶表面撞擊出原子物質(zhì)的過(guò)程。濺射產(chǎn)生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過(guò)程就是濺射鍍膜。

濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點(diǎn):

1.任何物質(zhì)都可以濺射, 尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物;

2.濺射薄膜與襯底的附著性好;

3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;

4.膜層厚度可控性和重復(fù)性好。

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