溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。固體絕緣材料中空間電荷的存在使得原來的電場發(fā)生畸變，使局部電場加強(qiáng)，導(dǎo)致氧化膜擊穿，產(chǎn)生火花放電。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

合金材料及表面狀態(tài)對微弧氧化的影響

       微弧氧化技術(shù)對鋁基工件的合金成分要求不高，對一些普通陽極氧化難以處理的鋁合金材料，如含銅、高硅鑄鋁合金的均可進(jìn)行微弧氧化處理。對工件表面狀態(tài)也要求不高，一般不需進(jìn)行表面拋光處理。對于粗糙度較高的工件，經(jīng)微弧氧化處理后表面得到修復(fù)變得更均勻平整；微弧氧化技術(shù)受哪些因素影響1、時(shí)間對微弧氧化的影響微弧氧化時(shí)間一般控制在10～60min。而對于粗糙度較低的工件，經(jīng)微弧氧化后，表面粗糙度有所提高。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化電源基本結(jié)構(gòu)

       從微弧氧化電源技術(shù)要求來看，要實(shí)現(xiàn)脈沖電源波形變換多、參數(shù)調(diào)節(jié)范圍寬，必定使電路復(fù)雜化、造價(jià)提高、可靠性降低。所以適用、可靠_且經(jīng)濟(jì)性的電源結(jié)構(gòu)是設(shè)計(jì)方案的基本出發(fā)點(diǎn)?，F(xiàn)在國內(nèi)的大部分脈沖電源都是采用兩個(gè)相互獨(dú)立的電源進(jìn)行疊加而組成的，在兩個(gè)電源之間加上切換裝置、控制正負(fù)脈沖電流的截止和導(dǎo)通。但是，這樣不但使電源結(jié)構(gòu)復(fù)雜化，同時(shí)也增加了控制電路的負(fù)擔(dān)，使電源成本增加。 在考慮簡化電源結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，采用復(fù)合功率轉(zhuǎn)換電路的形式，即由前級向后級供電，由后級控制電流的設(shè)計(jì)方案。電源輸出大電流：5A、10A、30A、50A、100A等可選。電源通過設(shè)定不同的占空比進(jìn)行直流調(diào)壓，從而得到預(yù)定的輸出電壓，然后，利用逆變電路實(shí)現(xiàn)波形控制。