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ASEMI實(shí)用案例，肖特基二極管的一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管 BJT 的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在 BJT 上連接 Shockley 二極管來(lái)箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。

根據(jù)萬(wàn)用表示數(shù)分析，肖特基二極管測(cè)試結(jié)論如下（其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼）:

一，根據(jù)①-②、③-②間均可測(cè)出正向電阻，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。

二，因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?

三，內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊(cè)中給定的允許值VFM(0.55V)。

關(guān)于肖特基二極管的應(yīng)用，ASEMI總結(jié)出以下幾點(diǎn)：

肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時(shí)間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。

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