磁控濺射鍍膜機(jī)

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真空鍍膜機(jī)利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設(shè)置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險(xiǎn)些被淘汰。只是在化學(xué)活性強(qiáng)的金屬、難容金屬、介質(zhì)以及化合物等材料上得到了少量的應(yīng)用。直到20世紀(jì)70年代，由于磁控濺射及時(shí)的出現(xiàn)，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復(fù)興的道路。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。這是因?yàn)榇趴貫R射法可以通過正交電磁場對(duì)電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對(duì)靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點(diǎn)。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實(shí)驗(yàn)室中脫穎而出，真正地進(jìn)入了工業(yè)大生產(chǎn)的領(lǐng)域。而且，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領(lǐng)域中推出了離子束增強(qiáng)濺射，采用寬束強(qiáng)流離子源結(jié)合磁場調(diào)制，并與常規(guī)的二極濺射相結(jié)合組成了一種新的濺射模式。而且，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術(shù)，不但消除了陽極的;消失;效應(yīng)。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。近年來急速鍍膜的復(fù)興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術(shù)而活躍在真空鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域中。

磁控濺射法的優(yōu)勢(shì)

目前常用的制備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管?如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點(diǎn),圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的,如何提高靶材利用,請(qǐng)到此一看的朋友,在下面留下你的見解,提供好的方法。ya離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。

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濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時(shí)在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的ya氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的ya離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。