編輯：DD

ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H-SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產(chǎn)品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常見的半導(dǎo)體公司對肖特基產(chǎn)品的型號命名。各廠家命名有不同。

　　備注：美國摩托羅拉半導(dǎo)體公司，是世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。早期的半導(dǎo)體元件很多都是以該公司的產(chǎn)品命名而得到全球公認(rèn)、通用。摩托羅拉公司后來將半導(dǎo)體器件分離出來，分為：

　　成品電器（比如手機(jī)、通信終端設(shè)備、小家電等）；

　　電子元件部分是今天的ON（安森美半導(dǎo)體），生產(chǎn)功率器件；

　　Freescale（飛思卡爾半導(dǎo)體）生產(chǎn)IC集成電路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常說貼片封裝。