欲測(cè)知元件老化，所須提供的測(cè)量范圍為何？功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。 當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過(guò)后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測(cè)量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。1～200AVge柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0。

6）短路保護(hù)放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時(shí)快速使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 DC10kV ?放電電流 10kA（5ms） ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 7）正常放電回路 用于設(shè)備正常關(guān)機(jī)時(shí)放電，使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 10kV ?放電電流 50A ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 8）高壓大功率開(kāi)關(guān) ?電流能力 2000A ?隔離耐壓 10kV ?響應(yīng)時(shí)間 150ms ?脈沖電流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 氣動(dòng)控制 ?Eon、Eoff開(kāi)通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0。工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路 通態(tài)壓降測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測(cè)試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測(cè)試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測(cè)試電路 柵極漏電流測(cè)試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測(cè)量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，。柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時(shí)間：40~100ms可設(shè)定