電池片的制作工藝

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影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時(shí)間

對(duì)于恒定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對(duì)于限定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁?、源溫?

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對(duì)擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對(duì)方塊硅片，長(zhǎng)度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。

晶硅太陽(yáng)能電池板的制作過(guò)程

晶硅太陽(yáng)能光伏板的制做全過(guò)程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)加工全過(guò)程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過(guò)程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過(guò)多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過(guò)程中，即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來(lái)波導(dǎo)管。