市場規(guī)模

中國半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長，全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉移。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016年中國半導體市場規(guī)模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規(guī)模為19.55億元，其配套材料市場規(guī)模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規(guī)模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規(guī)模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續(xù)性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。A有一種膠很適合，美國Futurrex生產(chǎn)的NR1-3000PYand和NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內半導體光刻膠市場需求增長。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）掩膜板直接與光刻膠層接觸。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

光刻膠國內研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業(yè)所壟斷。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從而提高光刻膠襯底上的附著性。

光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術有待進一步發(fā)展