退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的?？梢约訜峋該诫s劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設(shè)計的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構(gòu)，采用纖維結(jié)構(gòu)，節(jié)電60%。

退火爐的解決會使不銹鋼板材變松，熱處理解決會使不銹鋼板材發(fā)硬，相較為之中，如施加“世界多元化”解決，則可得到片層波來鐵機構(gòu)，可合理改進不銹鋼板材的鉆削性及耐磨性能，另外又兼顧不容易產(chǎn)生裂縫、形變量少與實際操作便捷等優(yōu)勢。殊不知世界多元化解決是較為難的一種調(diào)質(zhì)處理技術(shù)性，因為它採用空冷的方法制冷，會遭受很多要素而危害空冷實際效果，比如夏季和冬季之制冷實際效果不一樣、產(chǎn)品工件尺寸對空冷速度之別、乃至風輕輕吹也會危害制冷速度。因而世界多元化解決要應(yīng)用各種各樣方式 來保持均一性，可運用遮光、圍幕、孔洞、散熱風扇等。

完全退火處理關(guān)鍵目地是要變軟不銹鋼板材、改進不銹鋼板材之鉆削性，其調(diào)質(zhì)處理程序流程為加溫至A3點之上20~30℃(亞共析)或A1點之上30~50℃持溫一段時間，使產(chǎn)生完全沃斯田體機構(gòu)后(或沃斯田體加雪明碳體機構(gòu))，在A1點正下方50℃使充足產(chǎn)生波來體，獲至變軟的不銹鋼板材。此外地應(yīng)力清除淬火則是在點下列450~650℃加溫一段時間后緩緩制冷至室內(nèi)溫度，可清除不銹鋼板材內(nèi)部在鉆削、沖壓模具、鍛造、溶接過程中所產(chǎn)生的殘余地應(yīng)力。