硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料。長期以來，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律，不斷縮小晶體管尺寸以提升其性能。而業(yè)界認(rèn)為，摩爾定律將在2020年左右達(dá)到終點(diǎn)，即硅材料晶體管的尺寸將無法再縮小，芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理極限。在此背景下，人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料，碳納米管就是主要的研究方向之一。美國斯坦福大學(xué)、IBM公司的研究人員都在致力于該領(lǐng)域的研究。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖近年來多次引用團(tuán)隊(duì)的工作，來證明碳納米管是一個(gè)重要的出路。

機(jī)械修飾是指借助外力對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾從而優(yōu)化其性能，機(jī)械修飾方法有研磨、摩擦、震動(dòng)等。以上物理方法能夠增大碳納米管的自身內(nèi)能，使之在一定的外界條件下與一些物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，從而達(dá)到碳納米管表面改性的目的。機(jī)械修飾優(yōu)點(diǎn)是：工藝簡單、快捷、成本低。缺點(diǎn)是：缺點(diǎn)是在研磨過程中不易控制，在形成晶格缺陷的同時(shí)容易導(dǎo)致碳納米管的長度過短，失去原始碳納米管具有的性能。

碳納米管PC功能母粒概述

1. 碳納米管有限成份濃度為25wt%，添加2——20wt%即獲得抗靜電或?qū)щ娦Ч?

2. 塑料導(dǎo)電添加劑，賦予制品抗靜電、靜電耗散、導(dǎo)電和電磁屏蔽等性能；

3. 預(yù)分散母粒，選擇合適的基體，具有優(yōu)異的分散效果；母?；旌线^程簡單、潔凈且易操作；

4. 力學(xué)性能好，特別對(duì)材料的力學(xué)性能保持率高，如韌性和抗沖；制品表面耐磨、耐刮擦，表面光潔性好；

5. 材料經(jīng)再生和回收用時(shí)，導(dǎo)電性能幾乎保持不變。